
Суперпереходный МОП-транзистор 800 В
Мы владеем как Deep Trench, так и Multi-EPI суперпереходом MOSFET.
технологии и имеет очень обширный портфель продуктов. Супер
Технические характеристики MOSFET-транзистора с переходом рассчитаны на напряжение 500 В-1200В, 2А-99А.
Мы — первый отечественный серийный суперпереходный МОП-транзистор.
с выдерживаемым напряжением более 1000 В и обладают сопротивлением 600 В/16,5 мОм.
продукты со сверхнизким уровнем Rdson и представили инновационные встроенные
изоляционный пакет, SOT-223-2L, PDFN8X8 и другие упаковочные изделия.
Описание
Super Junction MOSFET 800V - это своего рода сверхструктурный MOSFET, в основном используемый
при высоком напряжении 800В. Его главной особенностью является возможность достижения низкого сопротивления включения.
при сохранении высокого напряжения, что достигается за счет расположения нескольких вертикальных
pn-переходы на клеммах D и S. Эта структура решает проблему, связанную с
Сопротивление открытого состояния увеличивается при увеличении номинального напряжения за счет добавления П-столбца
к NEPI, образуя более крупный PN-переход, образуя очень толстый обедненный слой PN
когда устройство смещено в обратном направлении, чтобы достичь высокого напряжения изоляции, чтобы его
RDS(ON/BV) выходит за рамки исходного VDMOS. SJ MOSFET имеет преимущества
низкие потери проводимости, большая мощность управления током, низкий заряд затвора, низкое открытие
ток, быстрая скорость переключения и 100-процентное испытание на лавинную энергию.
Обычно подходит для систем привода двигателя, инверторных систем и управления питанием.
системы и приложения высокой мощности, такие как солнечные инверторы, электромобили
источники питания привода, промышленные источники питания и так далее.
высокая температурная стабильность :
благодаря своим рабочим характеристикам при высоких температурах SiC MOSFET значительно улучшает
высокая температурная стабильность, подходит для высокотемпературной рабочей среды.
Высокая рабочая температура :
Максимальная гарантированная рабочая температура коммерческих SiC MOSFET составляет
150 градусов делает SiC превосходным материалом для высокого напряжения, высокой скорости, сильного тока, высокого напряжения. температура, импульсные приложения электропитания . Ниже указано «WML03N80M3, WMN03N80M3, WMM03N80M3, WMO03N80M3, WMP03N80M3, Знакомство с продуктом WMK03N80M3, другие параметры модели, свяжитесь с нами. горячая этикетка : МОП-транзистор с суперпереходом 800 В, Китай МОП-транзистор с суперпереходом 800 В производители, поставщики, завод, Закупка стоматологической клиники, датчик натяжения, Датчик силы для измерения реакции реакции управления реакцией автомобильной реакции, Оборудование для анестезии, Датчик силы для реакции реакции управления плотностью. Измерение реакции реакции управления реакцией, Датчик измерения давления
Номер детали.
Описание
Упаковка
ВДС (В)
RDS(on) (Ω) @VGS=10V(max.)
ID (A) @TA=25 степень
PD (W) @TA=25 градус
ВГС (В)
VGS(th) (V) (тип.)
ВМК03Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-220
800
4
3
29
30
3.3
WML03N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ДО-220Ф
800
4
3
20
30
3.3
WMM03N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-263
800
4
3
29
30
3.3
WMN03N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-262
800
4
3
29
30
3.3
ВМО03Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-252
800
4
3
29
30
3.3
WMP03N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-251
800
4
3
29
30
3.3
ВМК05Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-220
800
2.3
4
45
30
3.3
WML05N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ДО-220Ф
800
2.3
4
23
30
3.3
WMM05N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-263
800
2.3
4
45
30
3.3
WMN05N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-262
800
2.3
4
45
30
3.3
ВМО05Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-252
800
2.3
4
45
30
3.3
WMP05N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-251
800
2.3
4
45
30
3.3
ВМК06Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-220
800
2
5
50
30
3.3
WML06N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ДО-220Ф
800
2
5
23
30
3.3
WMM06N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-263
800
2
5
50
30
3.3
WMN06N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-262
800
2
5
50
30
3.3
ВМО06Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-252
800
2
5
50
30
3.3
WMP06N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-251
800
2
5
50
30
3.3
ВМК07Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-220
800
1.8
6.8
55
30
3.3
WML07N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ДО-220Ф
800
1.8
6.8
26
30
3.3
WMM07N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-263
800
1.8
6.8
55
30
3.3
WMN07N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-262
800
1.8
6.8
55
30
3.3
ВМО07Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-252
800
1.8
6.8
55
30
3.3
WMP07N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-251
800
1.8
6.8
55
30
3.3
ВМК08Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-220
800
1.38
7
70
30
3.3
WML08N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ДО-220Ф
800
1.38
7
29
30
3.3
WMM08N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-263
800
1.38
7
70
30
3.3
WMN08N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-262
800
1.38
7
70
30
3.3
ВМО08Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-252
800
1.38
7
70
30
3.3
WMP08N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-251
800
1.38
7
70
30
3.3
ВМК10Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-220
800
1.03
10
85
30
3.3
WML10N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ДО-220Ф
800
1.03
10
31
30
3.3
ШММ10Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-263
800
1.03
10
85
30
3.3
WMN10N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-262
800
1.03
10
85
30
3.3
ВМО10Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-252
800
1.03
10
85
30
3.3
WMP10N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-251
800
1.03
10
85
30
3.3
ВМК11Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-220
800
0.8
10.5
85
30
3.3
WML11N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ДО-220Ф
800
0.8
10.5
31
30
3.3
ШММ11Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-263
800
0.8
10.5
85
30
3.3
WMN11N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-262
800
0.8
10.5
85
30
3.3
ВМО11Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-252
800
0.8
10.5
85
30
3.3
WMP11N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-251
800
0.8
10.5
85
30
3.3
ВМК12Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-220
800
0.62
12
86
30
3.5
WML12N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ДО-220Ф
800
0.62
12
31
30
3.5
ШММ12Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-263
800
0.62
12
86
30
3.5
WMN12N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-262
800
0.62
12
86
30
3.5
ВМО12Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-252
800
0.62
12
86
30
3.5
WMP12N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-251
800
0.62
12
86
30
3.5
WMJ12N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-247
800
0.62
12
86
30
3.5
ВМК13Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-220
800
0.48
13
130
30
3.5
WML13N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ДО-220Ф
800
0.48
13
33
30
3.5
ШММ13Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-263
800
0.48
13
130
30
3.5
WMN13N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-262
800
0.48
13
130
30
3.5
ВМО13Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-252
800
0.48
13
130
30
3.5
WMP13N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-251
800
0.48
13
130
30
3.5
WMJ13N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-247
800
0.48
13
130
30
3.5
ВМК15Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-220
800
0.36
15
150
30
3.5
WML15N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ДО-220Ф
800
0.36
15
35
30
3.5
ШММ15Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-263
800
0.36
15
150
30
3.5
WMN15N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-262
800
0.36
15
150
30
3.5
WMJ15N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-247
800
0.36
15
150
30
3.5
ВМК25Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-220
800
0.26
21
250
30
3.5
WML25N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ДО-220Ф
800
0.26
21
38
30
3.5
ВММ25Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-263
800
0.26
21
250
30
3.5
WMN25N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-262
800
0.26
21
250
30
3.5
WMJ25N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-247
800
0.26
21
250
30
3.5
ВМА25Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-220 ISO
800
0.32
21
250
30
3.5
ВМК30Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-220
800
0.195
25
277
30
3.5
WML30N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ДО-220Ф
800
0.195
25
34
30
3.5
ВММ30Н80М3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-263
800
0.195
25
277
30
3.5
WMN30N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-262
800
0.195
25
277
30
3.5
WMJ30N80M3
N-канальный SJ-MOS M3
ТО-247
800
0.195
25
277
30
3.5
ВМО80R1K0S
N-канальный SJ-MOS S
ТО-252
800
1.05
6
70
30
4
WML80R1K0S
N-канальный SJ-MOS S
ДО-220Ф
800
1.05
6
29
30
4
WMP80R1K0S
N-канальный SJ-MOS S
ТО-251
800
1.05
6
70
30
4
WMK80R1K0S
N-канальный SJ-MOS S
ТО-220
800
1.05
6
70
30
4
WMM80R1K0S
N-канальный SJ-MOS S
ТО-263
800
1.05
6
70
30
4
WMN80R1K0S
N-канальный SJ-MOS S
ТО-262
800
1.05
6
70
30
4
ВМО80Р720С
N-канальный SJ-MOS S
ТО-252
800
0.8
7
73
30
3.5
WML80R720S
N-канальный SJ-MOS S
ДО-220Ф
800
0.8
7
31
30
3.5
WMP80R720S
N-канальный SJ-MOS S
ТО-251
800
0.8
7
73
30
3.5
ВМК80Р720С
N-канальный SJ-MOS S
ТО-220
800
0.8
7
73
30
3.5
WMM80R720S
N-канальный SJ-MOS S
ТО-263
800
0.8
7
73
30
3.5
WMN80R720S
N-канальный SJ-MOS S
ТО-262
800
0.8
7
73
30
3.5
ВМО80Р480С
N-канальный SJ-MOS S
ТО-252
800
0.48
12
138
30
4
WML80R480S
N-канальный SJ-MOS S
ДО-220Ф
800
0.48
12
31
30
4
WMP80R480S
N-канальный SJ-MOS S
ТО-251
800
0.48
12
138
30
4
ВМК80Р480С
N-канальный SJ-MOS S
ТО-220
800
0.48
12
138
30
4
WMM80R480S
N-канальный SJ-MOS S
ТО-263
800
0.48
12
138
30
4
WMN80R480S
N-канальный SJ-MOS S
ТО-262
800
0.48
12
138
30
4
WML80R350S
N-канальный SJ-MOS S
ДО-220Ф
800
0.33
14
34
30
3.5
WMJ80R350S
N-канальный SJ-MOS S
ТО-247
800
0.33
14
183
30
3.5
ВМК80Р350С
N-канальный SJ-MOS S
ТО-220
800
0.33
14
183
30
3.5
WMM80R350S
N-канальный SJ-MOS S
ТО-263
800
0.33
14
183
30
3.5
WMN80R350S
N-канальный SJ-MOS S
ТО-262
800
0.33
14
183
30
3.5
WML80R260S
N-канальный SJ-MOS S
ДО-220Ф
800
0.255
23
34
30
4
WMJ80R260S
N-канальный SJ-MOS S
ТО-247
800
0.255
23
227
30
4
WMN80R160S
N-канальный SJ-MOS S
ТО-262
800
0.18
24
250
30
3.5
WMM80R160S
N-канальный SJ-MOS S
ТО-263
800
0.18
24
250
30
3.5
ВМК80Р160С
N-канальный SJ-MOS S
ТО-220
800
0.18
24
250
30
3.5
WMJ80R160S
N-канальный SJ-MOS S
ТО-247
800
0.18
24
250
30
3.5
WML80R160S
N-канальный SJ-MOS S
ДО-220Ф
800
0.18
24
39
30
3.5
WMN80R1K5S
N-канальный SJ-MOS S
ТО-262
800
1.5
5
62
30
4
WMM80R1K5S
N-канальный SJ-MOS S
ТО-263
800
1.5
5
62
30
4
ВМК80Р1К5С
N-канальный SJ-MOS S
ТО-220
800
1.5
5
62
30
4
WMP80R1K5S
N-канальный SJ-MOS S
ТО-251
800
1.5
5
62
30
4
WML80R1K5S
N-канальный SJ-MOS S
ДО-220Ф
800
1.5
5
62
30
4
ВМО80Р1К5С
N-канальный SJ-MOS S
ТО-252
800
1.5
5
62
30
4
ВМК80Р260С
N-канальный SJ-MOS S
ТО-220
800
0.255
23
227
30
4
WMM80R260S
N-канальный SJ-MOS S
ТО-263
800
0.255
23
227
30
4
WMN80R260S
N-канальный SJ-MOS S
ТО-262
800
0.255
23
227
30
4











Отправить запрос
Вам также может понравиться




