Суперпереходный МОП-транзистор 800 В

Суперпереходный МОП-транзистор 800 В

Мы владеем как Deep Trench, так и Multi-EPI суперпереходом MOSFET.
технологии и имеет очень обширный портфель продуктов. Супер
Технические характеристики MOSFET-транзистора с переходом рассчитаны на напряжение 500 В-1200В, 2А-99А.
Мы — первый отечественный серийный суперпереходный МОП-транзистор.
с выдерживаемым напряжением более 1000 В и обладают сопротивлением 600 В/16,5 мОм.
продукты со сверхнизким уровнем Rdson и представили инновационные встроенные
изоляционный пакет, SOT-223-2L, PDFN8X8 и другие упаковочные изделия.

Описание

Super Junction MOSFET 800V - это своего рода сверхструктурный MOSFET, в основном используемый

при высоком напряжении 800В. Его главной особенностью является возможность достижения низкого сопротивления включения.

при сохранении высокого напряжения, что достигается за счет расположения нескольких вертикальных

pn-переходы на клеммах D и S. Эта структура решает проблему, связанную с

Сопротивление открытого состояния увеличивается при увеличении номинального напряжения за счет добавления П-столбца

к NEPI, образуя более крупный PN-переход, образуя очень толстый обедненный слой PN

когда устройство смещено в обратном направлении, чтобы достичь высокого напряжения изоляции, чтобы его

RDS(ON/BV) выходит за рамки исходного VDMOS. SJ MOSFET имеет преимущества

низкие потери проводимости, большая мощность управления током, низкий заряд затвора, низкое открытие

ток, быстрая скорость переключения и 100-процентное испытание на лавинную энергию.

Обычно подходит для систем привода двигателя, инверторных систем и управления питанием.

системы и приложения высокой мощности, такие как солнечные инверторы, электромобили

источники питания привода, промышленные источники питания и так далее.
‌высокая температурная стабильность‌ :

благодаря своим рабочим характеристикам при высоких температурах SiC MOSFET значительно улучшает

высокая температурная стабильность, подходит для высокотемпературной рабочей среды.
Высокая рабочая температура ‌ :

Максимальная гарантированная рабочая температура коммерческих SiC MOSFET составляет

150 градусов

делает SiC превосходным материалом для высокого напряжения, высокой скорости, сильного тока, высокого напряжения.

температура, импульсные приложения электропитания ‌.    


Номер детали. Описание Упаковка ВДС (В) RDS(on) (Ω) @VGS=10V(max.) ID (A) @TA=25 степень PD (W) @TA=25 градус ВГС (В) VGS(th) (V) (тип.)
ВМК03Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-220 800 4 3 29 30 3.3
WML03N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ДО-220Ф 800 4 3 20 30 3.3
WMM03N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-263 800 4 3 29 30 3.3
WMN03N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-262 800 4 3 29 30 3.3
ВМО03Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-252 800 4 3 29 30 3.3
WMP03N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-251 800 4 3 29 30 3.3
ВМК05Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-220 800 2.3 4 45 30 3.3
WML05N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ДО-220Ф 800 2.3 4 23 30 3.3
WMM05N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-263 800 2.3 4 45 30 3.3
WMN05N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-262 800 2.3 4 45 30 3.3
ВМО05Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-252 800 2.3 4 45 30 3.3
WMP05N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-251 800 2.3 4 45 30 3.3
ВМК06Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-220 800 2 5 50 30 3.3
WML06N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ДО-220Ф 800 2 5 23 30 3.3
WMM06N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-263 800 2 5 50 30 3.3
WMN06N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-262 800 2 5 50 30 3.3
ВМО06Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-252 800 2 5 50 30 3.3
WMP06N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-251 800 2 5 50 30 3.3
ВМК07Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-220 800 1.8 6.8 55 30 3.3
WML07N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ДО-220Ф 800 1.8 6.8 26 30 3.3
WMM07N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-263 800 1.8 6.8 55 30 3.3
WMN07N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-262 800 1.8 6.8 55 30 3.3
ВМО07Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-252 800 1.8 6.8 55 30 3.3
WMP07N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-251 800 1.8 6.8 55 30 3.3
ВМК08Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-220 800 1.38 7 70 30 3.3
WML08N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ДО-220Ф 800 1.38 7 29 30 3.3
WMM08N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-263 800 1.38 7 70 30 3.3
WMN08N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-262 800 1.38 7 70 30 3.3
ВМО08Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-252 800 1.38 7 70 30 3.3
WMP08N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-251 800 1.38 7 70 30 3.3
ВМК10Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-220 800 1.03 10 85 30 3.3
WML10N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ДО-220Ф 800 1.03 10 31 30 3.3
ШММ10Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-263 800 1.03 10 85 30 3.3
WMN10N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-262 800 1.03 10 85 30 3.3
ВМО10Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-252 800 1.03 10 85 30 3.3
WMP10N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-251 800 1.03 10 85 30 3.3
ВМК11Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-220 800 0.8 10.5 85 30 3.3
WML11N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ДО-220Ф 800 0.8 10.5 31 30 3.3
ШММ11Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-263 800 0.8 10.5 85 30 3.3
WMN11N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-262 800 0.8 10.5 85 30 3.3
ВМО11Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-252 800 0.8 10.5 85 30 3.3
WMP11N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-251 800 0.8 10.5 85 30 3.3
ВМК12Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-220 800 0.62 12 86 30 3.5
WML12N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ДО-220Ф 800 0.62 12 31 30 3.5
ШММ12Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-263 800 0.62 12 86 30 3.5
WMN12N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-262 800 0.62 12 86 30 3.5
ВМО12Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-252 800 0.62 12 86 30 3.5
WMP12N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-251 800 0.62 12 86 30 3.5
WMJ12N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-247 800 0.62 12 86 30 3.5
ВМК13Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-220 800 0.48 13 130 30 3.5
WML13N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ДО-220Ф 800 0.48 13 33 30 3.5
ШММ13Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-263 800 0.48 13 130 30 3.5
WMN13N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-262 800 0.48 13 130 30 3.5
ВМО13Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-252 800 0.48 13 130 30 3.5
WMP13N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-251 800 0.48 13 130 30 3.5
WMJ13N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-247 800 0.48 13 130 30 3.5
ВМК15Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-220 800 0.36 15 150 30 3.5
WML15N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ДО-220Ф 800 0.36 15 35 30 3.5
ШММ15Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-263 800 0.36 15 150 30 3.5
WMN15N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-262 800 0.36 15 150 30 3.5
WMJ15N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-247 800 0.36 15 150 30 3.5
ВМК25Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-220 800 0.26 21 250 30 3.5
WML25N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ДО-220Ф 800 0.26 21 38 30 3.5
ВММ25Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-263 800 0.26 21 250 30 3.5
WMN25N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-262 800 0.26 21 250 30 3.5
WMJ25N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-247 800 0.26 21 250 30 3.5
ВМА25Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-220 ISO 800 0.32 21 250 30 3.5
ВМК30Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-220 800 0.195 25 277 30 3.5
WML30N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ДО-220Ф 800 0.195 25 34 30 3.5
ВММ30Н80М3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-263 800 0.195 25 277 30 3.5
WMN30N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-262 800 0.195 25 277 30 3.5
WMJ30N80M3 N-канальный SJ-MOS M3 ТО-247 800 0.195 25 277 30 3.5
ВМО80R1K0S N-канальный SJ-MOS S ТО-252 800 1.05 6 70 30 4
WML80R1K0S N-канальный SJ-MOS S ДО-220Ф 800 1.05 6 29 30 4
WMP80R1K0S N-канальный SJ-MOS S ТО-251 800 1.05 6 70 30 4
WMK80R1K0S N-канальный SJ-MOS S ТО-220 800 1.05 6 70 30 4
WMM80R1K0S N-канальный SJ-MOS S ТО-263 800 1.05 6 70 30 4
WMN80R1K0S N-канальный SJ-MOS S ТО-262 800 1.05 6 70 30 4
ВМО80Р720С N-канальный SJ-MOS S ТО-252 800 0.8 7 73 30 3.5
WML80R720S N-канальный SJ-MOS S ДО-220Ф 800 0.8 7 31 30 3.5
WMP80R720S N-канальный SJ-MOS S ТО-251 800 0.8 7 73 30 3.5
ВМК80Р720С N-канальный SJ-MOS S ТО-220 800 0.8 7 73 30 3.5
WMM80R720S N-канальный SJ-MOS S ТО-263 800 0.8 7 73 30 3.5
WMN80R720S N-канальный SJ-MOS S ТО-262 800 0.8 7 73 30 3.5
ВМО80Р480С N-канальный SJ-MOS S ТО-252 800 0.48 12 138 30 4
WML80R480S N-канальный SJ-MOS S ДО-220Ф 800 0.48 12 31 30 4
WMP80R480S N-канальный SJ-MOS S ТО-251 800 0.48 12 138 30 4
ВМК80Р480С N-канальный SJ-MOS S ТО-220 800 0.48 12 138 30 4
WMM80R480S N-канальный SJ-MOS S ТО-263 800 0.48 12 138 30 4
WMN80R480S N-канальный SJ-MOS S ТО-262 800 0.48 12 138 30 4
WML80R350S N-канальный SJ-MOS S ДО-220Ф 800 0.33 14 34 30 3.5
WMJ80R350S N-канальный SJ-MOS S ТО-247 800 0.33 14 183 30 3.5
ВМК80Р350С N-канальный SJ-MOS S ТО-220 800 0.33 14 183 30 3.5
WMM80R350S N-канальный SJ-MOS S ТО-263 800 0.33 14 183 30 3.5
WMN80R350S N-канальный SJ-MOS S ТО-262 800 0.33 14 183 30 3.5
WML80R260S N-канальный SJ-MOS S ДО-220Ф 800 0.255 23 34 30 4
WMJ80R260S N-канальный SJ-MOS S ТО-247 800 0.255 23 227 30 4
WMN80R160S N-канальный SJ-MOS S ТО-262 800 0.18 24 250 30 3.5
WMM80R160S N-канальный SJ-MOS S ТО-263 800 0.18 24 250 30 3.5
ВМК80Р160С N-канальный SJ-MOS S ТО-220 800 0.18 24 250 30 3.5
WMJ80R160S N-канальный SJ-MOS S ТО-247 800 0.18 24 250 30 3.5
WML80R160S N-канальный SJ-MOS S ДО-220Ф 800 0.18 24 39 30 3.5
WMN80R1K5S N-канальный SJ-MOS S ТО-262 800 1.5 5 62 30 4
WMM80R1K5S N-канальный SJ-MOS S ТО-263 800 1.5 5 62 30 4
ВМК80Р1К5С N-канальный SJ-MOS S ТО-220 800 1.5 5 62 30 4
WMP80R1K5S N-канальный SJ-MOS S ТО-251 800 1.5 5 62 30 4
WML80R1K5S N-канальный SJ-MOS S ДО-220Ф 800 1.5 5 62 30 4
ВМО80Р1К5С N-канальный SJ-MOS S ТО-252 800 1.5 5 62 30 4
ВМК80Р260С N-канальный SJ-MOS S ТО-220 800 0.255 23 227 30 4
WMM80R260S N-канальный SJ-MOS S ТО-263 800 0.255 23 227 30 4
WMN80R260S N-канальный SJ-MOS S ТО-262 800 0.255 23 227 30 4

 

Ниже указано «WML03N80M3, WMN03N80M3, WMM03N80M3, WMO03N80M3, WMP03N80M3,

Знакомство с продуктом WMK03N80M3, другие параметры модели, свяжитесь с нами.


36020240831154057059

36020240831154157229

36020240831154215728

36020240831154231350

36020240831154301621

36020240831154315129

36020240831154329170

36020240831154343441

36020240831154412427

36020240831154425234

36020240831154438206

 

 

 

горячая этикетка : МОП-транзистор с суперпереходом 800 В, Китай МОП-транзистор с суперпереходом 800 В производители, поставщики, завод, Закупка стоматологической клиники, датчик натяжения, Датчик силы для измерения реакции реакции управления реакцией автомобильной реакции, Оборудование для анестезии, Датчик силы для реакции реакции управления плотностью. Измерение реакции реакции управления реакцией, Датчик измерения давления

Предыдущая статья:Бесплатно

Вам также может понравиться

Сумки для покупок